[发明专利]半导体器件金属化系统和方法有效
| 申请号： | 201410105822.6 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104779197B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李香寰;眭晓林;蒯光国;陈海清;曾同庆;杨文成;高宗恩;李明翰;黄心岩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属化 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体器件的方法，所述方法包括：将工件放置在金属化系统中，其中，所述工件包括设置在所述工件上的低介电常数(K)材料，所述低介电常数材料具有小于3.9的介电常数值，所述金属化系统包括主机机架和接近所述主机机架设置的多个模块，其中，所述多个模块之一包括物理汽相沉积(PVD)模块，并且所述多个模块之一包括UV固化模块；以及使用所述金属化系统影响所述工件；其中，影响所述工件包括：将所述工件放置在所述UV固化模块中；以及在200℃至400℃的温度下、在具有He、Ar或N2的周围环境气体中以及在0.1托至10托的压力下，在所述UV固化模块中对所述工件执行UV完全固化工艺或UV局部固化工艺；所述方法还包括：在所述UV完全固化工艺或所述UV局部固化工艺之后，执行介电常数值恢复步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
