[发明专利]一种SEM样品制备方法无效
| 申请号： | 201410106490.3 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103926120A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张志刚;徐灵芝;张文广 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SEM样品制备方法，涉及继承电路制造领域。该方法为：提供一具有待填充沟槽的半导体结构，采用层间介质层高纵深比制程工艺对所述沟槽进行填充；进行热处理；酸液腐蚀形成SEM样品。采用本发明通过低温的热处理可以让ILD HARP更加致密，更能够抵抗氢氟酸HF的侵蚀。从而可以采用简单易行SEM方式和氢氟酸HF腐蚀处理的方式来评估缝隙填充效果，该方法适用于新型逻辑器件结构及其工艺集成中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SEM样品制备方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1、提供一具有待填充沟槽的半导体结构，采用层间介质层高纵深比制程工艺对所述沟槽进行填充；步骤2、进行热处理；步骤3、酸液腐蚀形成SEM样品。
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