[发明专利]一种减少OPC修正后验证误报错的方法有效
申请号: | 201410106502.2 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN103885282B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 何大权;张辰明;魏芳;张旭昇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种减少OPC修正后验证误报错的方法,其中,步骤一完成OPC修正,在OPC修正完成后产生OPC修正后图形以及OPC修正前的目标图形;步骤二在OPC修正完成后选出导致OPC验证错误误报的图形区域;步骤三截取错误误报图形区域图中的图形边片段;步骤四沿着图形边片段形成独立的OPC验证区域;步骤五进行OPC验证。使用本发明公开的一种减少OPC修正后验证误报错的方法,能够有效地减少OPC验证错误误报并且避免真正OPC修正错误遗漏,从而能提高OPC验证结果检查的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 减少 opc 修正 验证 误报错 方法 | ||
【主权项】:
一种减少OPC修正后验证误报错的方法,其特征在于,步骤一:完成OPC修正,在OPC修正完成后产生OPC修正后图形以及OPC修正前的目标图形;步骤二:在OPC修正完成后选出导致OPC验证错误误报的凹角图形区域;步骤三:截取所述目标图形中错误误报的凹角图形区域图中符合条件的凹角图形边片;步骤四:以所述凹角图形边片为边,所述凹角的顶点为起始点,沿着图形内部方向形成独立的OPC矩形验证区域;步骤五:对形成独立的所述OPC矩形验证区域以外的区域进行验证,通过模拟尺寸和目标尺寸的相对比例进行检查,以及对形成独立的所述OPC矩形验证区域进行验证,该区域模拟尺寸与目标尺寸的相对比例不小于规格规定正常范围内的最小百分比。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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