[发明专利]一种金属电迁移结构有效
| 申请号： | 201410106505.6 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887282A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 尹彬锋;钱燕妮;于赫薇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种金属电迁移结构，通过使用顶层连接金属层作为过渡层，并增加下层连接金属层的方式，使过渡金属层不产生横向电流，这样在过渡金属层中往下层走的电流会由于距离太短（<1um），很难产生电迁移，同时下层连接金属层由于不受互连线数的限制，可以加足够多的互连线分流电流，进而有效避免连接金属层出现应力集中点，从而降低电迁移失效点位于连接金属层的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 迁移 结构 | ||
【主权项】：
一种金属电迁移结构，其特征在于，所述金属电迁移结构包括：测试金属层、过渡金属层、第一互连线、第二互连线和连接结构；所述测试金属层的两端分别通过一第一互连线与一所述过渡金属层连接，每个所述过渡金属层还通过至少两个所述第二互连线与一连接结构连接。
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