[发明专利]一种降低镍管道缺陷的方法有效
申请号: | 201410106537.6 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN103887149B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 何志斌;邱裕明 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种降低镍管道缺陷的方法,包括:对硅衬底表面进行低温硅离子注入,以在硅衬底表面形成一层均匀的无定形层;进行镍淀积。本发明的技术方案有效地阻隔镍管道缺陷的发生,大大降低了镍管道缺陷的形成,能够将镍管道缺陷数目从几千颗水准降到几十颗水准,并实现对MOS器件带来的影响达到可控的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 管道 缺陷 方法 | ||
【主权项】:
一种降低镍管道缺陷的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,制备硅衬底;步骤2,对所述硅衬底表面进行硅离子注入,以在硅衬底表面形成一层均匀的无定形层,其中在‑50~‑100℃下进行硅离子注入,硅离子注入能量为1~3Kev;步骤3,进行镍淀积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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