[发明专利]一种降低镍管道缺陷的方法有效

专利信息
申请号: 201410106537.6 申请日: 2014-03-20
公开(公告)号: CN103887149B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 何志斌;邱裕明 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 吴俊
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种降低镍管道缺陷的方法,包括:对硅衬底表面进行低温硅离子注入,以在硅衬底表面形成一层均匀的无定形层;进行镍淀积。本发明的技术方案有效地阻隔镍管道缺陷的发生,大大降低了镍管道缺陷的形成,能够将镍管道缺陷数目从几千颗水准降到几十颗水准,并实现对MOS器件带来的影响达到可控的目的。
搜索关键词: 一种 降低 管道 缺陷 方法
【主权项】:
一种降低镍管道缺陷的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,制备硅衬底;步骤2,对所述硅衬底表面进行硅离子注入,以在硅衬底表面形成一层均匀的无定形层,其中在‑50~‑100℃下进行硅离子注入,硅离子注入能量为1~3Kev;步骤3,进行镍淀积。
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