[发明专利]一种亲水性聚偏氟乙烯平板膜和中空纤维膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410106917.X 申请日: 2014-03-21
公开(公告)号: CN103861480A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 何春菊;李丹 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: B01D71/34 分类号: B01D71/34;B01D69/06;B01D69/08;B01D69/02;B01D67/00
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 翁若莹
地址: 201620 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种亲水性聚偏氟乙烯平板膜和中空纤维膜的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:在惰性气体保护下,在反应容器中加入大分子引发剂端卤二甲基硅氧烷、络合剂、单体和溶剂及催化剂卤化亚铜,在磁力搅拌的条件下升温至40~120℃后反应1~24小时,纯化,得到三嵌段聚合物;在惰性气体保护下,在另一反应容器中加入第一步中得到的三嵌段聚合物、络合剂、单体、溶剂和催化剂卤化亚铜,在搅拌条件下升温至50~120℃,反应6~24小时,纯化,得到两亲五嵌段聚合物;铸膜,即得亲水性聚偏氟乙烯膜。本发明的制备方法简单,通过共混两亲聚合物来达到亲水改性的目的,最终提高膜的抗污染性能。
搜索关键词: 一种 亲水性 聚偏氟 乙烯 平板 中空 纤维 制备 方法
【主权项】:
一种亲水性聚偏氟乙烯平板膜和中空纤维膜的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:第一步:在惰性气体保护下,在反应容器中加入大分子引发剂端卤二甲基硅氧烷、络合剂、单体和溶剂及催化剂卤化亚铜,单体、端卤二甲基硅氧烷、络合剂和卤化亚铜的摩尔比为50~1000∶1∶1~5∶1~5,在磁力搅拌的条件下升温至40~120℃后反应1~24小时,纯化,得到三嵌段聚合物;第二步:在惰性气体保护下,在另一反应容器中加入第一步中得到的三嵌段聚合物、络合剂、单体、溶剂和催化剂卤化亚铜,三嵌段聚合物、单体、卤化亚铜和络合剂的摩尔比为50~1000∶1∶1~5∶1~5,在搅拌条件下升温至50~120℃,反应6~24小时,纯化,得到两亲五嵌段聚合物;第三步:将聚偏氟乙烯、复合稀释剂和两亲性聚合物共混配制铸膜液,然后将铸膜液经过平板刮膜,接着经过凝固浴凝固,再经过萃取、浸泡清洗,最后用保孔剂处理,即得亲水性聚偏氟乙烯平板膜;或者,将聚偏氟乙烯、复合稀释剂和两亲性聚合物共混配制铸膜液,然后将铸膜液经过喷丝头挤出得到初生中空纤维,接着经过凝固浴凝固、拉伸和回缩,得到初生中空纤维膜,再经过萃取、浸泡清洗,最后用保孔剂处理,即得亲水性聚偏氟乙烯中空纤维膜。
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