[发明专利]一种金刚石器件的制备方法有效
| 申请号： | 201410107135.8 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103915338A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 蔚翠;冯志红;李佳;何泽召;王晶晶;刘庆彬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤（1）在有导电沟道的金刚石表层上的有源区覆盖光刻胶；（2）将有源区外金刚石导电沟道去除；去除光刻胶（3）在源、漏位置以外处覆盖光刻胶；（4）转移石墨烯覆盖在金刚石表面；（5）在石墨烯上面沉积欧姆接触金属；（6）剥离，形成源漏；（7）制备栅。本发明制备方法简单，在金刚石沟道与源漏金属间设置石墨烯层，石墨烯与金刚石，石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触，可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金刚石器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤（1）在有导电沟道（2）的金刚石（1）表层上的有源区覆盖光刻胶（3）；（2）将有源区外金刚石导电沟道（2）去除；去除光刻胶（3）；（3）在源（6）、漏（7）位置以外处覆盖光刻胶（3）；（4）转移石墨烯（4）覆盖在金刚石表面；（5）在石墨烯（4）上面沉积欧姆接触金属（5）；（6）剥离，形成源（6）、漏（7）；（7）制备栅（8）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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