[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410107433.7 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103996766B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型层、多量子阱有源层和P型层，所述多量子阱有源层由InGaN量子阱与InAlN量子垒结构组成。在本发明中，采用与InGaN量子阱材料晶格匹配的InAlN材料作为量子垒，改善了QCSE(Quantum‑Confined Stark Effect)效应，从而改善器件的Efficiency Droop，改善了器件的发光效率提升LED组件内部量子效率(IQEInternal Quantum Efficiency)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
氮化镓基发光二极管，包括：衬底、缓冲层、N型层、多量子阱有源层和P型层，其特征在于：所述多量子阱有源层由InGaN量子阱与InAlN量子垒结构组成，当所述InAlN量子垒中In组份为0.15～0.40，Al组份为0.60～0.85，且所述InGaN量子阱中In组份为0.1～0.25时，所述量子阱与所述量子垒的晶格常数相同。
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