[发明专利]一种钕铁硼稀土永磁器件的混合镀膜设备及制造方法有效

专利信息
申请号: 201410107545.2 申请日: 2014-03-22
公开(公告)号: CN103839641A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 陈晓东;孙宝玉 申请(专利权)人: 沈阳中北真空设备有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02;C22C33/02;C22C38/00;B22F9/08;B22F3/16;C23C14/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110168 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种钕铁硼稀土永磁器件的混合镀膜设备及制造方法,镀膜设备设有真空室、圆柱旋转阴极磁控靶、平面阴极磁控靶、多弧离子靶、转架和料筐。工作时转架在真空室内公转,网状料筐两端有转轴安装在转架上即随着转架公转又自转。圆柱旋转磁控靶安装在真空室内转架内部,平面磁控靶、多弧离子靶、阳极层线性离子源和加热装置安装在真空室内转架的周围,真空镀膜共分3层,第一层为磁控溅射镀层,镀层厚度为:0.1-5μm,第二层为磁控溅射和多弧的混合镀层,镀层厚度为:1-15μm,第三层为磁控溅射镀层,镀层厚度为:0.1-5μm。采用混合镀膜作稀土永磁器件的表面处理工序,不仅提高了稀土永磁器件的抗腐蚀能力,同时也提高了稀土永磁器件的磁性能。
搜索关键词: 一种 钕铁硼 稀土 永磁 器件 混合 镀膜 设备 制造 方法
【主权项】:
一种钕铁硼稀土永磁器件的混合镀膜设备,其特征在于:所述的混合镀膜设备包括真空镀膜室、圆柱阴极磁控靶、平面阴极磁控靶、阴极多弧离子靶、阳极层线性离子源、转架和料筐;所述的真空镀膜室由卧式真空壳体、前门和后盖组成,前门和真空壳体通过橡胶密封圈密封,后盖或者焊接在真空壳体上或者通过连接件连接,大转架设计在真空镀膜室内,通过转轴支撑在框架上,框架安装在真空壳体上;大转架的轴线与真空壳体的轴线平行,大转架上安装有3个小转架,小转架的轴线与大转架的轴线平行,多个网状料筐两端有转轴安装在小转架上,转轴的轴线与小转架的轴线平行,大转架围绕真空壳体的轴线公转,小转架即围绕大转架的轴线公转又自转,网状料筐即随大转架一起公转也随着小转架公转又自转;所述的圆柱阴极磁控靶安装在真空镀膜室内的后盖上,圆柱阴极磁控靶位于转架的内部,轴线与转架轴线平行,所述的圆柱阴极磁控靶设置一个以上; 所述的平面阴极磁控靶安装在真空壳体上,分布在转架的外围。
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