[发明专利]一种疏水性分离膜材料表面超亲水改性的方法有效
| 申请号： | 201410108300.1 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103861465A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 何春菊;赵新振;马博谋;秦爱文;刘大朋;李翔 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D71/26;B01D71/34;B01D71/36;B01D71/48;B01D71/68 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201620 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种疏水性分离膜材料表面超亲水改性的方法，其特征在于，具体步骤包括：第一步：将疏水性分离膜置于等离子体装置中，进行表面等离子体放电处理，后置于空气中进行氧化；第二步：将经第一步处理后的膜置于均苯三甲酰氯的甲苯溶液中进行反应，反应后取出进行第三步；第三步：将膜先后置于端氨基改性的亲水二氧化硅纳米粒子的甲苯溶液和海藻酸钠水溶液中，循环多次得到改性后的表面亲水性分离膜。本发明实现了疏水分离膜表面的超亲水改性，从而降低疏水分离膜的应用能耗并提升其抗污性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 分离 材料 表面 超亲水 改性 方法 | ||
【主权项】：
一种疏水性分离膜材料表面超亲水改性的方法，其特征在于，具体步骤包括：第一步：将疏水性分离膜置于等离子体装置中，进行表面等离子体放电处理，后置于空气中进行氧化，生成活性反应位点；第二步：将经第一步处理后的膜置于均苯三甲酰氯的甲苯溶液中进行反应，反应后取出进行第三步；第三步：将膜先后置于端氨基改性的亲水二氧化硅纳米粒子的甲苯溶液和海藻酸钠水溶液中，得到改性后的疏水性分离膜。
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