[发明专利]低压降稳压器和相关方法有效
| 申请号： | 201410108488.X | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104635824B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 邹宗成;李伯浩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 配置本发明的一种器件以提供低压降调节。放大器级包括第一晶体管以及第二晶体管，其中，第一晶体管电连接至器件的输出端的。镜像电流源包括第三晶体管以及第四晶体管，第三晶体管电连接至第二晶体管；第四晶体管电连接至第三晶体管。辅助电流源的控制端子电连接至第四晶体管的栅电极。下拉级包括第五晶体管以及第六晶体管，第五晶体管的栅电极电连接至第一晶体管的漏电极；第六晶体管的栅电极电连接至第四晶体管的栅电极。上拉晶体管的栅电极电连接至第五晶体管的漏电极。第一电容器的第一端子电连接至第一晶体管的栅电极。本发明还包括低压降稳压器和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 稳压器 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种稳压器件，包括：放大器级，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的控制端子电连接至所述稳压器件的输出端；及第二晶体管；镜像电流源，包括：第三晶体管，所述第三晶体管的栅电极电连接至所述第二晶体管的栅电极；以及第四晶体管，所述第四晶体管的漏电极电连接至所述第三晶体管的漏电极；辅助电流源，所述辅助电流源的控制端子电连接至所述第四晶体管的栅电极；下拉级，包括：第五晶体管，所述第五晶体管的栅电极电连接至所述第一晶体管的漏电极，并且所述第五晶体管镜像所述第一晶体管的漏极电流；及第六晶体管，所述第六晶体管的栅电极电连接至所述第四晶体管的栅电极，并且所述第六晶体管镜像所述第四晶体管的漏极电流；上拉晶体管，所述上拉晶体管的栅电极电连接至所述第五晶体管的漏电极；以及第一电容器，所述第一电容器的第一端子电连接至所述第一晶体管的栅电极，其中，根据所述第五晶体管与所述第六晶体管之间的相对电流驱动强度来确定所述上拉晶体管的驱动强度。
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