[发明专利]介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法有效
申请号: | 201410108600.X | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN103956322B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 林本坚;高蔡胜;刘如淦;黄文俊 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人: | 寿宁,张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹 市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明是有关于一种介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法,所述的双重图案化技术的介层窗掩膜分离方法的实施例使得介层窗图案化能够对齐其底下或上方的金属层,藉以缩减重叠误差,进而增加介层窗的置放性。假如相邻的介层窗违反介层窗之间的空间或节距(或上述二者)的G0掩膜分离规则,因为具有较高的置放失误风险,故给予末端介层窗的掩膜分配较高的优先顺序,藉此确保末端介层窗有良好的置放性。此与金属相关的介层窗掩膜分离方法可获得如较低的介层窗阻抗的较佳介层窗性能以及较高的介层窗优良率。 | ||
搜索关键词: | 介层窗层 介层窗 图案 化掩膜 分配 方法 | ||
【主权项】:
一种介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法,其特征在于其中该介层窗层的介层窗在工艺上直接对准置放在其对准的金属结构之上,该方法使用一双重介层窗掩膜图案化技术,且该方法包括以下步骤:产生该介层窗层的所述介层窗的多个介层窗掩膜分离规则违反标示,其中所述介层窗掩膜分离规则违反标示连接至少违反一介层窗掩膜分离规则的数个介层窗;决定一介层窗是否触及所述介层窗掩膜分离规则违反标示;假如该介层窗并未触及所述介层窗掩膜分离规则违反标示,分配该介层窗至二介层窗掩膜的其中一者,该者为对准一底下金属结构的一金属掩膜,且该介层窗置放于该底下金属结构之上;假如该介层窗触及所述介层窗掩膜分离规则违反标示其中一者,进行一决定操作,以决定该介层窗是否为一末端介层窗;假如该介层窗为该末端介层窗,分配一第一权重至该介层窗;假如该介层窗并非为该末端介层窗,分配一第二权重至该介层窗;以及进行一分配步骤,以分配触及所述介层窗掩膜分离规则违反标示的每个介层窗至该二介层窗掩膜的其中一者,使得具有该第一权重的介层窗被给予较高的优先顺序,以将具有该第一权重的介层窗分配至正确的介层窗掩膜上,该正确的介层窗掩膜乃对准其一金属掩膜,而在此金属掩膜上具有与该第一权重介层窗有触及或连接的金属结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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