[发明专利]铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法

摘要

本发明是铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：1）在AlGaN势垒层上淀积第一介质层；2）在第一介质层上涂覆第一光刻胶层；3）蒸发作为注入掩膜用的金属掩膜层到去除了第一光刻胶层的第一介质层上和第一光刻胶层的表面，剥离去除第一光刻胶层其上的金属掩膜层留下的金属层；4）利用金属掩膜层作为掩膜对需要进行离子注入的区域注入Si⁺离子形成注入区；5）去除第一介质层及其上的金属掩膜层后，淀积第二介质层到AlGaN势垒层的表面，在保护气体中高温退火激活注入的Si⁺离子形成掺杂。优点在于研制的器件欧姆接触电极表面及边缘的形貌良好，器件的有效源漏间距通过重掺杂得以减小从而提升器件的微波性能。

主权项

铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于该方法包括如下步骤：1）在AlGaN势垒层上淀积第一介质层, 第一介质层可选择的材料包括SiN、SiO₂；2）在第一介质层上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光、显影去除在离子注入过程中需要掩膜进行保护区域上方的第一光刻胶层；3）蒸发作为注入掩膜用的金属掩膜层到去除了第一光刻胶层的第一介质层上和第一光刻胶层的表面，剥离去除第一光刻胶层及其上的金属掩膜层留下离子注入过程中需要掩膜进行保护区域上方的金属掩膜层；4）利用金属掩膜层作为掩膜对需要进行离子注入的区域注入Si⁺离子形成注入区；5）去除第一介质层及其上的金属掩膜层后，淀积第二介质层到AlGaN势垒层的表面，在保护气体中高温退火激活注入的Si⁺离子形成掺杂。