[发明专利]MEMS半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201410109684.9 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104925743A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟;马军德 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS半导体器件的形成方法，至少包括：提供形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫的第一半导体衬底，所述第二铝焊垫的表面还形成有阻挡层；提供第二半导体衬底，在所述第二半导体衬底上形成有连接结构，所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应；将所述第一铝焊垫和连接结构连接，以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；采用切割刀切割所述第二半导体衬底上所述连接结构不重合的区域，使得所述第二铝焊垫暴露出来；去除所述第二铝焊垫上的阻挡层。本发明通过改变传统技术中形成MEMS半导体器件的形成方法的工艺，解决了在切割第二半导体衬底时，产生颗粒，所述颗粒会附着在第二铝焊垫的表面，难以去除的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mems 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS半导体器件的形成方法，其特征在于，所述MEMS半导体器件的形成方法至少包括：提供第一半导体衬底，在所述第一半导体衬底上形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫，所述第二铝焊垫的表面还形成有阻挡层；提供第二半导体衬底，在所述第二半导体衬底上形成有连接结构，所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应；将所述第一铝焊垫和所述连接结构连接，以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；采用切割刀切割所述第二半导体衬底上所述连接结构不重合的区域，使得所述第二铝焊垫暴露出来；去除所述第二铝焊垫上的阻挡层。
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