[发明专利]双层栅介质层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410110065.1 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103871860A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王东;曹亚民;杨斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种双层栅介质层结构及其制备方法，在半导体基底表面形成带隙和能带组合与二氧化硅均相似的界面层，接着在界面层上形成对碱性金属离子具有很好的阻挡作用的阻挡层，阻挡层不仅能掩蔽二氧化硅能掩蔽的杂质，还能掩蔽二氧化硅不能掩蔽的杂质，由界面层和阻挡层组成的双层栅介质层能够有效的降低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 介质 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双层栅介质层的制备方法，所述方法包括步骤：提供半导体基底；在所述半导体基底的表面形成界面层；在所述界面层的表面形成阻挡层，用于阻挡碱金属离子，降低漏电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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