[发明专利]锗酸硫钇上转换荧光粉及其制备方法

摘要

本发明公开了一种锗酸硫钇上转换荧光粉及其制备方法；该荧光粉的结构通式为M₂Y₈(GeO₄)₆S:xNd³⁺,yYb³⁺；其中，M₂Y₈(GeO₄)₆S是基质，M选自Mg,Ca,Sr或Ba，Nd³⁺和Yb³⁺是掺杂激活元素，在薄膜中充当发光离子中心，x的取值为0.01～0.08，y的取值为0～0.1。本发明制备的钕掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发，得到的485nm的发光峰对应的是Nd³⁺离子²P_3/2→⁴I_15/2的跃迁辐射发光。

主权项

一种锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）、按照结构通式M₂Y₈(GeO₄)₆S₂:xNd³⁺,yYb³⁺⁺中各元素的化学计量比，称取MS，Y₂O₃，GeO₂，Nd₂O₃和Yb₂O₃粉体；其中，x的取值为0.01～0.08，y的取值为0～0.1；（2）、将步骤（1）中的粉体混合后溶于硝酸；（3）、向步骤（2）中的溶液同时滴入草酸2～15mL和氨水10～30mL，边滴加边搅拌；（4）、当步骤（3）中的混合溶液不再生成沉淀物，继续滴加氨水，调节混合溶液中的PH值至8，静置2小时使沉淀完全；（5）、把步骤（4）中得到的沉淀物过滤，用无水乙醇和蒸馏水反复洗涤沉淀物，随后将洗涤过的沉淀物至于900～1400℃下焙烧1～3小时，冷却至室温，即得到结构通式为M₂Y₈(GeO₄)₆S:xNd³⁺,yYb³⁺；其中，M₂Y₈(GeO₄)₆S是基质，M选自Mg,Ca,Sr或Ba，Nd³⁺和Yb³⁺是掺杂激活元素，在薄膜中充当发光离子中心，x的取值为0.01～0.08，y的取值为0～0.1。