[发明专利]一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410110946.3 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103904216B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李颖;赵高扬;王娅静 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，将钛酸丁酯和无水乙醇混合加入氧化镍溶胶中，搅拌陈化得到钛掺杂的氧化镍溶胶；采用浸渍提拉法在二氧化锡基板上进行薄膜提拉，将提拉制得的薄膜在室温下进行干燥，得到钛掺杂的氧化镍薄膜；将钛掺杂的氧化镍薄膜热处理后使用溅射仪对其进行顶电极的制备，即得到钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜。本发明制备方法，简便、易行；与常用的半导体薄膜的制备技术相比，这种溶胶‑凝胶方法因为不需要复杂、昂贵的设备，工艺参数易于控制，能大大地降低生产成本，并能制备大面积薄膜；在进行氧化镍薄膜的掺杂时，掺杂工艺简单、定量准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 电阻 存储器 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，将醋酸镍和乙酰丙酮溶于乙二醇甲醚中搅拌5～6h后加入丙烯酸，继续搅拌1～2h，搅拌结束后陈化20～24h，得到氧化镍溶胶；步骤2，在室温下将钛酸丁酯和无水乙醇按体积比为1：0.02～0.08混合搅拌10～12h，然后加入到步骤1得到的氧化镍溶胶中，搅拌1.5～2h，搅拌结束后陈化10～12h得到钛掺杂的氧化镍溶胶，氧化镍与钛的摩尔浓度比为1：0.02～0.08；采用浸渍提拉法在二氧化锡基板上进行薄膜提拉，将提拉制得的薄膜在室温下进行干燥，得到钛掺杂的氧化镍薄膜；步骤3，将步骤2得到的钛掺杂的氧化镍薄膜在500℃下进行热处理，最后使用溅射仪对其进行顶电极的制备，即得到钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜。
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