[发明专利]一种控制氧施主单晶的生产工艺方法有效
| 申请号： | 201410110949.7 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103882512A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李广哲;刘英江;李杰涛;赵聚来 | 申请（专利权）人： | 宁晋晶兴电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 055550 河北省邢台*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种控制氧施主单晶的生产工艺方法，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，其特征在于：在上述所有步骤中，单晶炉体内的坩埚（1）内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为坩埚（1）内的液面与导流屏（2）底部的距离是15～25mm。本发明的有益效果是：通过对生产步骤中籽晶转速的控制、坩埚的转速控制、坩埚上升速度的控制和惰性气体流量的控制以及单晶炉体内保温层和导流屏保温层的改进，减少单晶处于氧施主产生空间的时间,达到降低氧施主的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 施主 生产工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种控制氧施主单晶的生产工艺方法，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，其特征在于：在上述所有步骤中，单晶炉体内的坩埚（1）内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为坩埚（1）内的液面与导流屏（2）底部的距离是15～25mm；所述的引颈步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0mm/min；所述的放肩步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.05～0.15mm/min；所述的转肩步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.15～0.2mm/min；所述的等径步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.19～0.25mm/min；所述的收尾步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.15～0.05mm/min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁晋晶兴电子材料有限公司，未经宁晋晶兴电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410110949.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：储物柜门锁集中安装结构
- 下一篇：防盗报警钢缆锁
