[发明专利]一种化合物半导体大面积气相外延用喷口分布方式无效
| 申请号： | 201410110962.2 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103911657A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张俊业;刘鹏;左然;赵红军;魏武;张国义;童玉珍 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体大面积气相外延（VPE）用的气体喷头喷口交叉密排式分布结构，其特征为：利用惰性气体喷口将第一前驱物喷口和第二前驱物喷口隔离开来，使不同的前驱物在喷口附近相互分离，防止它们在喷口附近发生混合起化学反应导致喷口污染；各个喷口相互独立并且相互交叉排布，使两种前驱物喷出进入混合起反应区域后，便较快均匀混合，形成均匀浓度、流场。从而显著地改善化合物半导体大面积气相外延沉积的均匀性，同时也扩大了外延生长工艺的调空范围，便于调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 大面积 外延 喷口 分布 方式 | ||
【主权项】：
一种用于化合物半导体气相外延（VPE）的气体喷头结构，其特征在于：各自独立的喷口采用交叉密集的排布方式，使三种不同的气体即第一前驱物、第二前驱物和惰性气体，分别通过输运管道后，从平面状喷头的交叉密排但各自独立的喷口喷出，所述三种气体喷口按一定的顺序交叉密集排布，利用惰性气体使第一前驱物气体和第二前驱物气体在喷口附近（在进入混合反应区之前）保持完全被隔离。
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