[发明专利]一种制作3D封装芯片的散热方法有效

专利信息
申请号: 201410111082.7 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN103956346B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 杜卫冲 申请(专利权)人: 中山新诺科技股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/56
代理公司: 中山市科创专利代理有限公司44211 代理人: 谢自安
地址: 528400 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种制作3D封装芯片的散热方法,其主要特点是在Z方向上对芯片单体进行有序层叠,并电连接,得到芯片组本体,而芯片组本体中每一芯片单体上设有与相邻芯片单体相互连通的散热流体通道,芯片组本体底部的流体通道接头与循环散热泵连接,循环散热泵将驱动散热流体通道内的冷却液循环运动,冷却液及时有效地吸收各个芯片单体工作所产生的热量,并经循环散热泵上的散热片散开,有效解决了3D封装芯片的散热问题。
搜索关键词: 一种 制作 封装 芯片 散热 方法
【主权项】:
一种制作3D封装芯片的散热方法,其特征在于包括采用步骤如下:A、采用硅通孔技术,将各块芯片单体(2)制作硅通孔,并向硅通孔中填充导电材料,作为各块芯片单体连接的电极引线;B、向步骤A所得的芯片单体(2)的背面涂覆氧化硅,得到氧化硅层;C、将由步骤B所得芯片单体(2)的正面涂覆光刻胶,得光刻胶层;D、用激光直写光刻胶层,显影后得到散热流体通道图案;E、用由氢氟酸、硝酸和冰醋酸组成的蚀刻溶液,对散热流体通道图案进行蚀刻,得到相互连通的散热流体通道(3);F、重复步骤C和D,并用激光分别在芯片单体两侧边相应位置处直写出两个与散热流体通道(3)连通的通道连通孔(11);G、将步骤F所得芯片单体(2)置于蚀刻气体SF6中,通过平面曝光、溅射化学反应和辅助能量离子,除去芯片单体(2)上的通道连通孔(11)及其正面上的散热流体通道(3)内侧壁上的硅;H、对步骤G所得芯片单体的正面涂覆牺牲层聚合物,得到牺牲层,用于保护并使散热流体通道(3)成型,涂覆后对芯片单体的正面抛光成平整平面;I、在步骤H所得的平整平面上涂覆耐热层聚合物,得到耐热层(9),并对耐热层(9)进行激光直写操作,制作出芯片单体(2)正面的电极连接点(10)和流体通道接口(6);J、用氢氟酸蚀刻除去芯片单体背面的氧化硅层;K、用耐热层聚合物制作与芯片单体(2)背面的通道连通孔(11)的口部连接的流体通道接头(5);L、对芯片单体(2)背面的电极引线端部制作凸出的焊锡点(8);M、对步骤L所得的芯片单体(2)的正面与另一芯片单体(2)的背面层叠,使得一芯片单体(2)的正面上的电极连接点(10)与另一芯片单体(2)的背面上的焊锡点(8)对接,并进行热固化连接,同时使一芯片单体(2)正面上的流体通道接口(6)与另一芯片单体(2)背面上的流体通道接头(5)对接,得到由若干块芯片单体(2)组成的芯片组本体(1);N、用有机溶剂溶解芯片组本体(1)上的牺牲层,得到畅通的散热流体通道(3);O、将步骤N所得的芯片组本体(1)的上部黏合一层平整玻璃,得到玻璃层(7),以将流体通道接口(6)封堵住,芯片组本体(1)底部的流体通道接头(5)与循环散热装置(4)连接。
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