[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410111507.4 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104952713A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 许静;闫江;唐波;唐兆云;王红丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成氧吸除金属层，并进行热退火；以刻蚀停止层为停止层，去除氧吸除金属层；在刻蚀停止层上形成金属栅极。在本发明中，形成氧吸除金属层并热退火以减小界面层的厚度之后，将该氧吸除金属层去除，以减小整个栅堆叠的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成氧吸除金属层，并进行热退火；以刻蚀停止层为停止层，去除氧吸除金属层；在刻蚀停止层上形成金属栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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