[发明专利]硅压力芯片结构设计及工艺有效
| 申请号： | 201410111931.9 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103926034A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;吴宽洪;张涛;熊建功 | 申请（专利权）人： | 慧石（上海）测控科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;G01L1/18;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 左祝安 |
| 地址： | 201700 上海市青浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用多层硅结构制作压力芯片的结构设计及工艺。它包括：（1）采用硅-绝缘层-硅-绝缘层-硅的多层（三层）硅结构制作压力芯片。在第一层硅上设置全桥压阻元件、连接点和硅密封条；在压阻元件和连接点的周围形成沟槽；在多层（三层）硅结构的第三层硅内形成带有岛型结构空腔；（2）选择另一片常规SOI片做为密封结构，在其第一层硅上设置硅密封条和硅连接柱；（3）采用硅-硅健合技术将多层（三层）硅结构和常规SOI片健合形成多层（五层）硅结构；（4）减薄常规SOI片的第二层硅；采用等离子干法刻蚀在常规SOI片的第二层硅上开通孔；（5）在常规SOI片的第二层硅的表面和通孔内壁上淀积绝缘层；并在通孔处淀积导电材料，形成电连接点。 | ||
| 搜索关键词： | 压力 芯片 结构设计 工艺 | ||
【主权项】：
一种多层硅结构，其特征在于，它包括三层硅材料，每层硅材料之间有一层绝缘层；第一层硅为器件层，用于制作压力敏感元件、硅连接点和硅密封条；第二层硅用作压力膜；上述两层硅之间有第一层绝缘层，用于上述两层硅之间的电隔离；第三层硅用作压力芯片的支撑结构和压力膜的岛型结构。
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