[发明专利]双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法

摘要

一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁，形成下台面；制作中间电极，制作下电极，形成基片；生长一层钝化层；生长引出金属层，把中间电极、下电极和上电极引出到上台面；生长二次钝化层，在二次钝化层上腐蚀出引线孔，并在引线孔中生长加厚金属，形成样片；把样片分割成面阵的管芯，并与读出电路进行互连；在衬底的背面制作背面光栅。本发明在每个像元都能同时引出两个波段红外信号的结构中，使得两个波段都有高的光栅耦合效率，提高器件的性能。

主权项

一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括如下步骤：(A)在一衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；(B)在上接触层上制作正面光栅，并在正面光栅上沉积金属层，该金属层为上电极；(c)在金属层上向下刻蚀，形成隔离槽和上台面，刻蚀深度到达衬底内，使隔离槽两侧的像元完全隔离；(D)刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，刻蚀深度到达中间接触层内，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁，刻蚀深度到达下接触层内，形成下台面；(E)在中台面上制作中间电极，在下台面上制作下电极，形成基片；(F)在基片的表面生长一层钝化层，在钝化层对应的中间电极、下电极和上电极处腐蚀出电极孔；(G)在钝化层的表面生长引出金属层，把中间电极、下电极和上电极引出到上台面；(H)在引出金属层的基片表面生长二次钝化层，在二次钝化层上腐蚀出引线孔，并在引线孔中生长加厚金属，形成样片；(I)把样片分割成面阵的管芯，并与读出电路进行互连；(J)对面阵的管芯进行衬底减薄；(K)在减薄后的衬底的背面制作背面光栅，完成制备。