[发明专利]磁记录介质的制造方法在审

专利信息
申请号: 201410112268.4 申请日: 2014-03-25
公开(公告)号: CN104078057A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 冈部健彦;藤克昭 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 李照明;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种磁记录介质的制造方法,其目的在于降低润滑层的摩擦系数、且提高由润滑层对保护层表面的覆盖率。在一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法中,所述润滑层的形成是,使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂,之后,使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂,所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高,所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法
【主权项】:
一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法,其特征在于,所述润滑层的形成是,使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂,之后,使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂,所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高,所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。
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