[发明专利]包络跟踪漏极调制器、射频放大电路及方法

摘要

本公开是关于一种包络跟踪漏极调制器、射频放大电路及方法，属于电子技术应用领域。所述方法包括通过所述包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号；通过所述线性放大单元接收所述包络检波单元获取的所述包络信号，根据预设倍数放大所述包络信号，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；通过所述开关单元根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压；通过所述还原单元将所述开关单元生成的脉宽电压还原为对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，所述第一跟踪电压与所述第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。本公开实现了对射频信号的更好的跟踪匹配，进而提升射频功率放大器的使用效率。

主权项

一种包络跟踪漏极调制器，其特征在于，包括：包络检波单元、线性放大单元、开关单元和还原单元，其中：所述包络检波单元，用于从输入的射频信号中获取出对应的包络信号；所述线性放大单元，用于接收所述包络检波单元获取的所述包络信号，根据预设倍数放大所述包络信号的幅度，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压，所述线性放大单元包括：氮化镓GaN材料的金属‑氧化层半导体场效晶体MOSFET管；所述开关单元，用于根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压；所述还原单元，用于将所述开关单元生成的脉宽电压还原为对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，所述第一跟踪电压与所述第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。