[发明专利]碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法有效
| 申请号： | 201410113715.8 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104078514B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | R·拉普;C·黑希特;J·康拉斯;W·伯格纳;H-J·舒尔策;R·埃尔佩尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/78;H01L29/772;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包含碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分第横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅器件，包括：碳化硅衬底；无机钝化层结构，至少部分地横向覆盖所述碳化硅衬底的主表面；以及模塑材料层，邻近于所述无机钝化层结构，其中所述碳化硅衬底包括围绕所述碳化硅衬底的有源区的边缘区域，其中所述碳化硅衬底包括具有第一导电类型的碳化硅层和位于围绕所述碳化硅衬底的所述有源区的所述边缘区域内的至少一个边缘终端区域，其中所述边缘终端区域具有第二导电类型，其中所述碳化硅衬底和所述无机钝化层结构被配置以使得在所述无机钝化层结构的与所述模塑材料层接触的表面处的电场在所述碳化硅器件的有源状态下低于500kV/cm。
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