[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410113838.1 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104952716B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域，所述第一区域上形成有若干凸起的第一栅极结构，相邻第一栅极结构之间具有第一凹槽；对第一凹槽侧壁表面进行疏水处理，使第一凹槽具有疏水性侧壁；采用流动性化学气相沉积工艺在所述第一凹槽内形成第一介质层，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应物为亲水性物质，在所述疏水性侧壁的作用下，使所述第一介质层内具有空气隙。所述方法可以降低第一介质层的介电系数，降低相邻第一栅极结构之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域，所述第一区域上形成有若干凸起的第一栅极结构，相邻第一栅极结构之间具有第一凹槽；对第一凹槽侧壁表面进行疏水处理，使第一凹槽具有疏水性侧壁；采用流动性化学气相沉积工艺在所述第一凹槽内形成第一介质层，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应物为亲水性物质，所述流动性化学气相沉积工艺还包括使所述反应物进行退火处理，所述第一介质层内具有空气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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