[发明专利]具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构有效
| 申请号： | 201410114060.6 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103928437A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林罡 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构，包括A金属层、A扩散阻挡层、B金属层、B扩散阻挡层、C金属层、接触金属层、衬底、正面图形，其中A金属层上是A扩散阻挡层；A扩散阻挡层上是金属层；B金属层上是B扩散阻挡层；B扩散阻挡层上是C金属层；C金属层上是接触金属层；接触金属层上是衬底；衬底上提供的是正面图形。优点：有效阻挡芯片烧结时焊料向芯片背面金属中，接触层中以及正面源漏金属中的扩散；有利于芯片散热，提高芯片寿命以及性能；避免焊料扩散到与背面金属层相连的正面金属层中，提高器件的可靠性；避免背面金属向焊料中的扩散；可应用于背面金属烧结时的扩散控制、非常规芯片中的非背面金属烧结层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 多层 插入 砷化镓 芯片 背面 金属 结构 | ||
【主权项】：
具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构，其特征是包括A金属层（1）上是A金属扩散阻挡层（2）；A金属扩散阻挡层（2）上是B金属层(3)；B金属层(3)上是B金属扩散阻挡层（4）；B金属扩散阻挡层（4）上是C金属层（5）；C金属层（5）上是接触金属层（6）；接触金属层（6）上是衬底（7）；衬底（7）上提供的是正面图形(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410114060.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
