[发明专利]金属与N型硅肖特基接触势垒高度的调节方法

摘要

金属与N型硅肖特基接触势垒高度的调节方法属于分立半导体器件芯片制造技术领域。在现有技术中尚无能够连续调节和控制肖特基势垒高度的方法。本发明之方法其特征在于，金属与N型硅肖特基接触势垒的形成过程如下，通过金属淀积窗口，在N-外延层上淀积Ni膜、Pt膜；再使其中的Ni、Pt合金化，并通过控制Ni膜、Pt膜的厚度控制NiPt合金中Ni、Pt质量比，在合金化的同时，在N-外延层上表层形成Ni、Pt、Si金属硅化物势垒层，去除未参加金属硅化物反应的NiPt合金。NiPt合金与N型硅肖特基接触势垒高度则能够通过调整NiPt合金中Ni、Pt质量比，在0.75eV到0.84eV之间准确确定，由此获得所需的肖特基二极管电学性质。

主权项

一种金属与N型硅肖特基接触势垒高度的调节方法，在N+衬底一侧外延一层N‑外延层，热氧化N‑外延层，形成氧化层（1），采用光刻工艺开设P+离子注入窗口并完成P+扩散保护环的制作，采用光刻工艺开设金属淀积窗口，在形成金属与N型硅肖特基接触势垒后，在势垒层（4）上淀积正面金属层（2），并且正面金属层（2）与周边的氧化层（1）搭接，另外，在N+衬底另一侧淀积背面金属层（3），其特征在于，所述金属与N型硅肖特基接触势垒的形成过程如下，通过金属淀积窗口，在N‑外延层上淀积Ni膜、Pt膜；再使其中的Ni、Pt合金化，并通过控制Ni膜、Pt膜的厚度控制NiPt合金中Ni、Pt质量比，在合金化的同时，在N‑外延层上表层形成Ni、Pt、Si金属硅化物势垒层（4），去除未参加金属硅化物反应的NiPt合金。