[发明专利]具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管无效
| 申请号： | 201410114248.0 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103943687A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刘彦涛;王斌;黄福成;田振兴 | 申请（专利权）人： | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;C22C27/06 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管属于分立半导体器件技术领域。现有技术普遍使用Cr作为肖特基势垒二极管的材料势垒，然而，Cr的功函数较低，导致器件IR参数能力较弱。虽然Pt的功函数较高，但是价格昂贵。而采用CrNi合金取代Cr所获得的IR参数不稳定。本发明之具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管其特征在于，与N型硅半导体材料形成肖特基势垒层的金属材料为CrCu合金，Cu在CrCu合金中的质量百分含量为0.5～0.35%。本发明其技术效果在于，使得肖特基势垒二极管的IR的值能够降低30%以上，如从40μA降低到20μA，参数能力得到明显改善。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 crcu 合金 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
一种具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管，其特征在于，与N型硅半导体材料形成肖特基势垒层（4）的金属材料为CrCu合金，Cu在CrCu合金中的质量百分含量为0.5～0.35%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林麦吉柯半导体有限公司，未经吉林麦吉柯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410114248.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器、存储器系统及其数据处理方法
- 下一篇：一种监控软件测试执行进度的方法
- 同类专利
- 专利分类
