[发明专利]一种具有高反射率反射镜的垂直结构发光二极管无效

专利信息
申请号: 201410114252.7 申请日: 2014-03-26
公开(公告)号: CN103872208A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 刘军林;江风益 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 江西省专利事务所 36100 代理人: 张文
地址: 330047 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种具有高反射率反射镜的垂直结构发光二极管结构,从下至上依次包括导电衬底、导电焊接层、P型层、发光层、具有粗化表面的N型层、N电极,特征是:在导电焊接层和P型层之间设有由Ag基反射镜和低折射率介质反射镜组成的复合反射镜,若干个低折射率介质反射镜均匀布置在Ag基反射镜的上表面,且低折射率介质反射镜所占的表面积占复合反射镜的表面积的20-80%。P型层、发光层、N型层可以是AlGaInN基或者AlGaInP基材料体系中的一种。本发明巧妙地利用了可见光从高折射率介质内入射到低折射率介质发生全发射这一物理现象,减小了光在反射镜界面的吸收,提高了复合反射镜的有效反射率,从而提升LED结构的光提取效率。
搜索关键词: 一种 具有 反射率 反射 垂直 结构 发光二极管
【主权项】:
一种具有高反射率反射镜的垂直结构发光二极管,从下至上依次包括导电衬底、导电焊接层、P型层、发光层、具有粗化表面的N型层、N电极,其特征在于:在导电焊接层和P型层之间设有由Ag基反射镜和低折射率介质反射镜组成的复合反射镜,若干个低折射率介质反射镜均匀布置在Ag基反射镜的上表面,且低折射率介质反射镜所占的表面积占复合反射镜的表面积的20‑80%。
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