[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410114628.4 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104952782B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供具有待刻蚀层的衬底，所述待刻蚀层包括图形密集区和图形稀疏区；在图形稀疏区的待刻蚀层表面形成第一掩膜层，第一掩膜层具有稀疏图案；形成覆盖于待刻蚀层表面以及第一掩膜层表面的光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影处理，在图形密集区的待刻蚀层表面、以及第一掩膜层表面形成第二掩膜层，图形密集区的第二掩膜层具有密集图案；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀图形密集区的待刻蚀层，同时，以所述第二掩膜层和第一掩膜层为掩膜，刻蚀图形稀疏区的待刻蚀层，直至暴露出衬底表面。本发明可弥补刻蚀过程中负载效应带来的问题，使得图形稀疏区刻蚀后的形成的刻蚀层具有良好的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供具有待刻蚀层的衬底，所述待刻蚀层包括图形密集区和图形稀疏区，所述待刻蚀层的材料为多晶硅、铝、钛、钽、氮化钛或氮化钽；在图形稀疏区的待刻蚀层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有稀疏图案；形成覆盖于待刻蚀层表面以及第一掩膜层表面的光刻胶层，第一掩膜层顶部表面的光刻胶层的厚度与图形密集区的光刻胶层的厚度一致；对所述光刻胶层进行曝光显影处理，在第一掩膜层表面、以及图形密集区的待刻蚀层表面形成第二掩膜层，第二掩膜层的材料为光刻胶，图形密集区的第二掩膜层具有密集图案，图形稀疏区的第二掩膜层覆盖于第一掩膜层顶部表面且暴露出第一掩膜层的侧壁表面，图形稀疏区第二掩膜层和第一掩膜层的总厚度大于图形密集区第二掩膜层的厚度；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀图形密集区的待刻蚀层，同时，以所述第二掩膜层和第一掩膜层为掩膜，刻蚀图形稀疏区的待刻蚀层，直至暴露出衬底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
