[发明专利]具有金属柱的芯片封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410114630.1 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104952735B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有金属柱的芯片封装结构及其形成方法。本发明通过在金属柱的底部形成连接于本体的外延部，加大了金属柱的底面积，该底面积为金属柱分别与介电层、以及该介电层暴露的电连接结构的接触面积，从而降低了金属柱底壁单位面积所分担的应力，避免了半导体衬底上的介电层断裂，提高了芯片封装结构的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属柱 芯片封装结构 介电层 电连接结构 成品率 外延部 衬底 底壁 半导体 断裂 分担 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种具有金属柱的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，具有电连接结构及暴露部分所述电连接结构的介电层；在所述半导体衬底上形成具有开口的光刻胶，所述开口暴露所述电连接结构及部分介电层，其中，与所述开口底壁相连的光刻胶具有缺口；电镀以在所述开口及缺口内形成金属柱，所述金属柱包括形成在所述开口内的金属柱本体以及形成在所述缺口内的外延部；在所述金属柱的顶部形成焊球；其中，形成具有开口的光刻胶的方法为：在所述半导体衬底上旋涂光刻胶，烘焙所述光刻胶；利用具有开口图形的掩膜板曝光所述光刻胶，显影所述曝光后的光刻胶；缺口的形成方法为：烘焙所述光刻胶采用的温度低于正常烘焙温度10℃至50℃，所述正常烘焙温度为85℃～140℃；或者，显影所述曝光后的光刻胶所用的显影时间是正常显影时间的1.2倍至2倍，所述正常显影时间为40s～30min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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