[发明专利]外延结构的制备方法有效
| 申请号： | 201410115532.X | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952983B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延结构的制备方法，包括以下步骤：提供一自支撑的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管有序排列且通过范德华力相互连接；将所述碳纳米管膜悬空设置并进行表面处理，在所述多个碳纳米管的表面引入缺陷；采用原子层沉积法在所述表面处理后的碳纳米管膜的多个碳纳米管的表面生长一层纳米材料层；将生长有纳米材料层的碳纳米管膜进行退火处理，去除所述碳纳米管膜，形成多个纳米管，且所述多个纳米管有序排列且相互连接形成一自支撑的纳米管膜；将该纳米管膜设置于一基底的外延生长面；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管膜 纳米管 碳纳米管 纳米材料层 外延生长面 外延结构 基底 制备 原子层沉积法 表面生长 范德华力 退火处理 悬空设置 生长 外延层 支撑 去除 引入 | ||
【主权项】：
1.一种外延结构的制备方法，包括以下步骤：提供一自支撑的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管有序排列且通过范德华力相互连接；将所述碳纳米管膜悬空设置并进行表面处理，在所述多个碳纳米管的表面引入缺陷；采用原子层沉积法在所述表面处理后的碳纳米管膜的多个碳纳米管的表面生长一层纳米材料层；将生长有纳米材料层的碳纳米管膜进行退火处理，去除所述碳纳米管膜，形成多个纳米管，且所述多个纳米管有序排列且相互连接形成一自支撑的纳米管膜；将该纳米管膜设置于一基底的外延生长面；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。
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