[发明专利]氮化镓磊晶生长方法

摘要

本发明提供一种氮化镓磊晶生长方法，其包含：提供半导体积层或异质基板；形成位于该半导体积层或该异质基板上的平台；在该半导体积层或该异质基板上形成纳米柱或纳米洞；以及在该半导体积层或该异质基板上形成异质磊晶区域。采用纳米等级的图案化工序，氮化镓磊晶层的差排缺陷密度可进一步降低。纳米级图案化工序，都已验证于蓝宝石基板上可有效降低GaN磊晶层的差排缺陷密度。本发明将借软模NIL图案化已于GaAs基板上实现InAs量子点的均匀沉积与控位。将应用NIL，辅以干式蚀刻，于异质基板上，进行纳米级图案化，从而利用非平面基板来控制、沉积III-N的磊晶结构，抑制差排缺陷密度向上延伸，预期将可获得低缺陷密度。

主权项

一种氮化镓磊晶生长方法，包含以下步骤：（1）提供半导体积层或异质基板；（2）形成位于该半导体积层或该异质基板上的平台，以起到软性纳米压印的作用；（3）在该半导体积层或该异质基板上形成纳米柱或纳米洞；以及（4）在该半导体积层或该异质基板上形成异质磊晶区域；其中，步骤(3)中的该纳米柱与该纳米洞的形成又包含：（i）利用预定周期的该软性纳米压印于该半导体积层或该异质基板上；（ii）对该半导体积层或该异质基板上执行一次干式蚀刻，以转印纳米图案；以及（iii）进行剥离工序，使该纳米图案以形成该纳米柱或该纳米洞于该半导体积层或该异质基板上。