[发明专利]局部高密度基底布线

摘要

于此总体描述了对于局部高密度基底布线的系统和方法的实施例。在一个或多个实施例中，设备包含介质、第一和第二电路元件、互连元件、以及介电层。所述介质中能够包含低密度布线。所述互连元件能够被嵌入于所述介质中，并且所述互连元件中能够包含多个导电部件，所述导电部件能够电耦合至所述第一电路元件和所述第二电路元件。所述互连元件中能够包含高密度布线。所述介电层能够在所述互连管芯之上，所述介电层包含穿过所述介电层的所述第一和第二电路元件。

主权项

1.一种半导体设备，包括：介质，所述介质中包含低密度互连布线；第一传导粘合剂和第二传导粘合剂；在基底上的金属焊盘；互连元件，所述互连元件通过第三粘合剂连接到所述金属焊盘，所述互连元件中包含高密度布线，所述互连元件包含多个导电部件，所述多个导电部件中的导电部件电耦合至所述第一传导粘合剂和所述第二传导粘合剂；其中所述第一传导粘合剂电耦合至第一焊盘，所述第一焊盘在所述互连元件的顶表面上或至少部分地在所述互连元件的所述顶表面中，所述第一焊盘被定位于所述第一传导粘合剂和所述导电部件的第一端之间；其中所述第一焊盘包括大于所述第一传导粘合剂的覆盖区面积的覆盖区面积；并且其中所述金属焊盘能够用作用于消融通过所述第三粘合剂的激光的阻止层，以便阻止激光贯穿至所述基底。