[发明专利]一种电荷耦合器件的电子增益倍数测量方法有效
申请号: | 201410116526.6 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN103852708A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 王明富;任国强;刘非;周向东;马文礼 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种电荷耦合器件的电子增益倍数测量方法,包括步骤S1:利用电荷耦合器件的读出放大器的复位金属氧化物半导体管导通时,获取吸收浮置栅电容上储存的信号电子形成复位栅极微弱电流;步骤S2:通过纳安表检测读出放大器上复位金属氧化物半导体管的复位栅极微弱电流;步骤S3:根据复位栅极微弱电流计算出浮置栅电容上每个像素的平均电子总数,从而检测到被测相机的电子增益倍数。本发明旨在解决电荷耦合器件读出放大器的非线性特征及其产生的读出噪声将会增大电子增益倍数测量误差的问题,非常适合用于电荷耦合器件在电子增益标定过程中的电子增益倍数测量。 | ||
搜索关键词: | 一种 电荷耦合器件 电子 增益 倍数 测量方法 | ||
【主权项】:
一种电荷耦合器件的电子增益倍数测量方法,其特征在于,该方法包括步骤如下:步骤S1:利用电荷耦合器件的读出放大器的复位金属氧化物半导体管导通时,获取吸收浮置栅电容上储存的信号电子形成复位栅极微弱电流;步骤S2:通过纳安表检测读出放大器上复位金属氧化物半导体管的复位栅极微弱电流;步骤S3:根据复位栅极微弱电流计算出浮置栅电容上每个像素的平均电子总数,从而检测到被测相机的电子增益倍数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所,未经中国科学院光电技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410116526.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:土壤脱水干化或固化的方法
- 下一篇:液体收容体和液体收容体组