[发明专利]一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液在审
| 申请号： | 201410116569.4 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104946429A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 何春阳;刘兵;孙广胜;黄达辉 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D7/26;C11D7/60;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有(a)醇胺，(b)醇醚，(c)水，(d)螯合剂，(e)肼及其衍生物。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够快速的去除经过硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶，并且在能够去除金属线（metal）、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时对于基材基本没有攻击，如金属铝，金属铜，非金属二氧化硅等。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 去除 残留物 清洗 | ||
【主权项】：
一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，包含醇胺，醇醚，水，螯合剂以及肼及其衍生物。
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