[发明专利]MEMS压力传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201410117606.3 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104949776B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 郑超;许继辉;于佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MEMS压力传感器及其制作方法，所述MEMS压力传感器形成在衬底结构上，其中，所述MEMS压力传感器至少包括氧化物层、下极板、上极板和抑制桩；所述下极板位于所述氧化物层内，所述上极板位于所述氧化物层的上表面，且所述上极板与所述氧化物层之间设有空腔，所述空腔位于所述下极板的上方处；所述抑制桩位于所述空腔内，且所述抑制桩连接所述上极板和所述氧化物层，所述抑制桩适于抑制所述上极板的拱起，以缩短所述上极板拱起的最高位置和所述下极板之间的距离。本发明通过在上、下极板之间增加抑制桩，缩短了上极板拱起的最高位置与下极板之间的距离，提高了MEMS压力传感器的感应效率和敏感性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS压力传感器，所述MEMS压力传感器形成在衬底结构上，其特征在于，所述MEMS压力传感器至少包括：氧化物层、下极板、上极板和抑制桩；所述下极板位于所述氧化物层内，所述上极板位于所述氧化物层的上表面，且所述上极板与所述氧化物层之间设有空腔，所述空腔位于所述下极板的上方处；所述抑制桩位于所述空腔内，且所述抑制桩连接所述上极板和所述氧化物层，所述抑制桩适于抑制所述上极板的拱起，以缩短所述上极板拱起的最高位置和所述下极板之间的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410117606.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
