[发明专利]一种多模干涉结构太赫兹量子级联激光器及制作方法有效
| 申请号： | 201410117762.X | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103915758B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 姚辰;曹俊诚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多模干涉结构太赫兹量子级联激光器，包括多模干涉波导结构，所述多模干涉波导结构从垂直方向自下而上依次为半绝缘衬底、缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、上金属层；所述有源区、上接触层和上金属层在下接触层上形成脊型结构；所述脊型结构两侧设有下金属层；所述上金属层通过湿法刻蚀形成多模波导和输出波导；所述输出波导为单模波导，并位于多模波导两端中心处；所述输出波导的宽度小于所述多模波导的宽度。本发明还涉及THz QCL制作方法。上述本发明能够提高THz QCL出光功率而又不降低出光光束质量和收集效率，保持器件小型化并降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 干涉 结构 赫兹 量子 级联 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多模干涉结构太赫兹量子级联激光器，包括多模干涉波导结构，其特征在于，所述多模干涉波导结构从垂直方向自下而上依次为半绝缘衬底、缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、上金属层；所述有源区、上接触层和上金属层在下接触层上形成脊型结构；所述脊型结构两侧设有下金属层；所述上金属层通过湿法刻蚀形成多模波导和输出波导；所述输出波导为单模波导，并位于多模波导两端中心处；所述输出波导的宽度小于所述多模波导的宽度；所述多模波导的宽度为200μm，长度为1556μm；所述输出波导的宽度为50μm。
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