[发明专利]PMOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410117766.8 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103943508B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 肖天金;邱裕明;高剑琴 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种PMOS器件的制造方法，包括以下步骤提供半导体衬底，其中所述半导体衬底的PMOS区域上形成有栅极结构；在所述PMOS区域进行低温离子注入以形成非晶硅层；对所述PMOS区域刻蚀形成源/漏区的沟槽；以及在所述沟槽中选择性外延生长嵌入式锗硅层以形成嵌入式源/漏区。本发明能够降低嵌入式锗硅位错缺陷，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，其中所述半导体衬底的PMOS区域上形成有栅极结构；在所述PMOS区域进行低温离子注入以形成非晶硅层，所述低温离子注入的温度范围为零下100℃至0℃；对所述PMOS区域刻蚀形成源/漏区的沟槽，其中所述非晶硅层部分保留在所述沟槽表面，在刻蚀过程中所述非晶硅层使其下方的单晶硅不被刻蚀，所述沟槽的单晶硅表面保持平整度；以及在所述沟槽中选择性外延生长嵌入式锗硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410117766.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
