[发明专利]多晶硅残留监测结构有效
| 申请号： | 201410117788.4 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103887283B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 高金德;蔡恩静 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅残留监测结构，其包括接地的半导体衬底，其中形成有源区；平行排列于有源区上的多个第一多晶硅栅结构和多个第二多晶硅栅结构，其中第一多晶硅栅结构和第二多晶硅栅结构交错分布；多个接触孔柱塞，形成于有源区上相邻的所述第一多晶硅栅结构和第二多晶硅栅结构之间；第一测试引脚，与所述多个第一多晶硅栅结构相连；以及第二测试引脚，与所述多个第二多晶硅栅结构相连。本发明能够对多晶硅残留问题进行有效监测。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 残留 监测 结构 | ||
【主权项】：
一种多晶硅残留监测结构，其包括：半导体衬底，其中形成有源区，所述半导体衬底接地；平行排列于所述有源区上的多个第一多晶硅栅结构和多个第二多晶硅栅结构，所述第一多晶硅栅结构和第二多晶硅栅结构交错分布；多个接触孔柱塞，形成于所述有源区上相邻的所述第一多晶硅栅结构和第二多晶硅栅结构之间，所述接触孔插塞覆盖所述有源区的边缘；第一测试引脚，与所述多个第一多晶硅栅结构相连；以及第二测试引脚，与所述多个第二多晶硅栅结构相连；其中，通过向所述第一多晶硅栅结构或第二多晶硅栅结构施加一电压以及测量所述第一测试引脚或第二测试引脚和所述衬底之间的电流变化，以检测施加电压的所述第一多晶硅栅结构或第二多晶硅栅结构的多晶硅残留。
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