[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410118033.6 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104952922B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;吴汉明;蔡孟峰;俞少峰;李序武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了鳍型场效应晶体管及其制造方法。该鳍型场效应晶体管包括：半导体主体，形成在衬底上，半导体主体具有顶面和侧向相对的侧壁；以及栅极电极，形成在半导体主体的顶面和侧壁上方，其中，半导体主体包括：在半导体主体的一个端部内的源极区，在半导体主体的另一个端部内的漏极区，以及与源极区和漏极区邻接的由栅极电极包围的沟道区，源极区、漏极区和沟道区具有相同的导电类型，并且其中，沟道区内的掺杂浓度从靠近由顶面和侧壁组成的表面的区域到远离所述表面的区域逐渐减小。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍型场效应晶体管，包括：半导体主体，形成在衬底上，所述半导体主体具有顶面和侧向相对的侧壁；以及栅极电极，形成在所述半导体主体的所述顶面和所述侧壁上方，其中，所述半导体主体包括：在所述半导体主体的一个端部内的源极区，在所述半导体主体的另一个端部内的漏极区，以及与所述源极区和所述漏极区邻接的由所述栅极电极包围的沟道区，所述源极区、所述漏极区和所述沟道区具有相同的导电类型，并且其中，所述沟道区内的掺杂浓度从靠近由所述顶面和所述侧壁组成的表面的区域到远离所述表面的区域逐渐减小，其中，所述源极区和所述漏极区具有均匀的掺杂浓度，并且所述源极区的掺杂浓度和所述漏极区的掺杂浓度大于等于所述沟道区内的最大掺杂浓度。
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