[发明专利]一种MEMS麦克风芯片切割方法在审
申请号: | 201410118106.1 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103888887A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 周育樑;王勇 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00;H04R19/04 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种MEMS麦克风芯片的切割方法,该芯片包括具有贯穿孔的衬底以及设置在所述贯穿孔上方、由振动膜和背电极构成的平行板电容器。该切割方法包括:在所述衬底下方贴附下层膜;在所述振动膜上方以一定间隔设置上层膜,所述上层膜为UV膜;通过水刀切割MEMS麦克风晶圆以分离多个所述MEMS麦克风芯片;以及通过紫外线照射去除所述上层膜。本发明能够避免麦克风芯片在切割过程中受到污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 麦克风 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS麦克风芯片的切割方法,所述芯片包括具有贯穿孔的衬底以及设置在所述贯穿孔上方、由振动膜和背电极构成的平行板电容器,其特征在于,所述切割方法包括:步骤S1,在所述衬底下方贴附下层膜;步骤S2,在所述振动膜上方以一定间隔设置上层膜,所述上层膜为UV膜;步骤S3,通过水刀切割MEMS麦克风晶圆以分离多个所述MEMS麦克风芯片;以及步骤S4,通过紫外线照射去除所述上层膜。
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