[发明专利]基于氧化镁靶的磁隧道结制备方法无效
| 申请号： | 201410119011.1 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103872243A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;娄永乐;张玉明;张义门;刘志龙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化镁靶的磁隧道结制备方法，主要解决现有技术制备的磁隧道结中MgO薄膜结晶度低，导致隧穿磁电阻不高的问题。其实现步骤是：（1）清洗Si衬底基片，并在清洗后的基片上淀积一层SiO2薄膜；（2）在SiO2薄膜上磁控溅射Ta/Ru/Ta/CoFeB金属层；（3）利用陶瓷MgO靶，通入2-25sccm的O2，在CoFeB金属层上淀积MgO薄膜；（4）在MgO薄膜上溅射CoFeB/Ta/Ru金属层，得到磁隧道结结构并置于真空中退火。本发明制备的磁隧道结具有绝缘层MgO结晶度高，隧穿磁电阻率高的优点，可用于制作自旋存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化镁 隧道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化镁靶的磁隧道结制备方法，包括以下步骤：1）对Si衬底基片进行清洗，以去除表面污染；2）在清洗后的Si衬底基片上淀积一层300‑700nm厚的SiO2薄膜；3）利用磁控溅射法在SiO2薄膜上淀积Ta/Ru/Ta/CoFeB金属层；4）利用陶瓷MgO作为靶材，对磁控溅射腔抽真空，然后向该磁控溅射腔中通入一定量的O2和Ar气，在CoFeB上淀积MgO薄膜；5）在MgO薄膜上溅射CoFeB/Ta/Ru金属层，形成磁隧道结，再放入真空中在200‑500℃下退火30‑120min，完成整个磁隧道结的制作过程。
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