[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：在衬底中的深沟槽；在深沟槽的侧表面上的侧壁绝缘膜；在侧壁绝缘膜上的层间绝缘膜；以及在层间绝缘膜中的气隙。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成第二导电型的第一阱区以及第二导电型的第二阱区；形成掺杂剂浓度低于所述第一阱区和所述第二阱区的低掺杂剂浓度阱区；在第二导电型的所述低掺杂剂浓度阱区中形成第一导电型本体区；在衬底上形成第一栅电极和第二栅电极；在所述衬底中形成深沟槽；在所述深沟槽的侧表面上和所述衬底上形成侧壁绝缘膜；对形成在所述衬底上的所述侧壁绝缘膜进行回蚀刻；以及在所述衬底和所述侧壁绝缘膜上沉积层间绝缘膜以形成在所述深沟槽内的气隙，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极二者与所述第一导电型本体区交叠，以及其中通过杂质在所述第二导电型的第一阱区以及所述第二导电型的第二阱区中的扩散来形成第二导电型的所述低掺杂剂浓度阱区。