[发明专利]一种制作半导体激光器热沉的方法有效

专利信息
申请号: 201410119425.4 申请日: 2014-03-27
公开(公告)号: CN103887703B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 李刚;张松;崔碧峰;徐旭红;赵瑞;计伟 申请(专利权)人: 北京牡丹电子集团有限责任公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/02
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司11212 代理人: 杨立
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种带石墨烯层的半导体激光器热沉,包括从下至上依次沉积的基体材料层、无氧铜层和石墨烯层,所述基体材料层采用的材料是氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅或氮化硼中的任意一种。本发明还对应给出了制作所述热沉的方法。本发明采用石墨烯层作为热沉的散热材料,充分利用石墨烯热导率高的物理特性,将半导体激光器工作时产生的热量传导出来并发散掉,能够在不增加半导体激光器重量、体积的情况下,大幅提高半导体激光器的散热能力,降低半导体激光器工作时的温度,保证半导体激光器的光电性能和可靠性,延长半导体激光器的寿命。
搜索关键词: 一种 制作 半导体激光器 方法
【主权项】:
一种制作半导体激光器热沉的方法,其特征在于,包括:步骤1,利用铜箔作为碱催化剂层,对甲烷、氢和氩的混合反应气体进行化学气相沉积,形成单层石墨烯;步骤2,将PET薄膜和单层石墨烯进行压力粘合,再溶解铜箔,并将单层石墨烯转移到PET薄膜上;步骤3,重复步骤2,将至少一个单层石墨烯层叠到PET薄膜上;步骤4,将层叠到PET薄膜上的所有单层石墨烯转移到无氧铜层上,得到石墨烯层;步骤5,将无氧铜层沉积到采用氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅或氮化硼形成的基体材料层上。
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