[发明专利]半导体设备工艺加工异常处理的方法及系统有效
申请号: | 201410119427.3 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN104952761B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 李娟娟 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体设备工艺加工异常处理的方法及系统。其中方法包括如下步骤:检测工艺加工过程是否出现异常;当工艺加工过程出现异常时,停止当前工艺步骤,并抛出阻塞型报警;根据所选择的预设异常处理模式执行相应的操作;其中预设异常处理模式为多个,不同的预设异常处理模式包括不同的操作步骤组合。其改变了传统技术中必须由工艺加工人员手动处理的单一模式,提高了工艺异常后的操作流程的自动性和方便性,同时能够避免不必要的人为错误。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 工艺 加工 异常 处理 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种半导体设备工艺加工异常处理的方法,其特征在于,包括以下步骤:检测工艺加工过程是否出现异常;当所述工艺加工过程出现异常时,停止当前工艺步骤,并抛出阻塞型报警;根据所选择的预设异常处理模式执行相应的操作;所述预设异常处理模式为多个,不同的所述预设异常处理模式包括不同的操作步骤组合;所述预设异常处理模式包括第一预设异常处理模式,第二预设异常处理模式,第三预设异常处理模式,第四预设异常处理模式,第五预设异常处理模式,第六预设异常处理模式,第七预设异常处理模式,第八预设异常处理模式,第九预设异常处理模式,以及第十预设异常处理模式中的一种以上的组合;所述根据所选择的预设异常处理模式执行相应的操作,包括以下步骤:当所选择的预设异常处理模式为第一预设异常处理模式时,控制继续执行工艺表单中的下一工艺步骤;当所选择的预设异常处理模式为第二预设异常处理模式时,控制重新执行当前工艺步骤;当所选择的预设异常处理模式为第三预设异常处理模式时,控制继续执行当前工艺步骤;当所选择的预设异常处理模式为第四预设异常处理模式时,控制停止工艺加工过程,等待处理;当所选择的预设异常处理模式为第五预设异常处理模式时,控制执行解除卡盘吸附的工艺步骤,并按工艺过程正常结束传出物料;当所选择的预设异常处理模式为第六预设异常处理模式时,控制执行解除卡盘吸附的工艺步骤,并按指定路径传出物料;当所选择的预设异常处理模式为第七预设异常处理模式时,控制执行解除卡盘吸附的工艺步骤,并将物料直接传输回原点;当所选择的预设异常处理模式为第八预设异常处理模式时,控制按工艺过程正常结束传出物料;当所选择的预设异常处理模式为第九预设异常处理模式时,控制按指定路径传出物料;当所选择的预设异常处理模式为第十预设异常处理模式时,控制将物料直接传输回原点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造