[发明专利]重分布层的自对准

摘要

一种装置包括具有多个电器件的衬底。形成在衬底的第一侧上的互连结构使电器件互连。伪TSV的每个延伸穿过衬底且在衬底的第二侧上形成对准掩模。功能TSV的每个延伸穿过衬底且电连接至电器件。形成在衬底的第二侧上的重分布层（RDL）使伪TSV中的一些与功能TSV中的一些互连。功能TSV上方的RDL的台阶高度小于预定值，而伪TSV上方的RDL的台阶高度大于预定值。本发明还提供了重分布层的自对准。

主权项

1.一种半导体装置，包括：衬底，包括多个电器件；互连结构，形成在所述衬底的第一侧上，并且使所述多个电器件中的一些互连；多个伪硅通孔(TSV)，所述多个伪硅通孔的每个延伸穿过所述衬底并且在所述衬底的第二侧上形成对准掩模；多个功能硅通孔，所述多个功能硅通孔的每个延伸穿过所述衬底并且电连接至所述多个电器件中的一个；以及重分布层(RDL)，形成在所述衬底的所述第二侧上，并且使所述多个伪硅通孔中的一些与所述功能硅通孔中的一些互连，其中，所述功能硅通孔的顶面从周围表面伸出的第一台阶高度小于预定值，并且所述伪硅通孔的顶面从周围表面伸出的第二台阶高度大于所述预定值。