[发明专利]半导体器件及其选择性加热有效
| 申请号： | 201410120740.9 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104637938B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈东村;黄睿政;温清华;郑钧文;刘怡劭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L21/336;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其选择性加热，提供了一种或多种半导体器件、阵列布置及其形成方法。该半导体器件包括离子感测器件和接近离子感测器件的加热元件。离子感测器件具有有源区域，其包括源极、漏极、和位于源极和漏极之间的沟道。离子感测器件也具有位于沟道上方的离子感测膜，以及位于离子感测膜上方的离子感测区域。响应于通过接近离子感测器件的热传感器所感测的温度，选择性地激活加热元件以改变离子感测区域的温度，从而促进半导体器件的期望操作，诸如用作生物传感器。多个半导体器件可以形成于阵列内。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 半导体器件 感测器件 选择性加热 感测区域 加热元件 感测膜 沟道 漏极 源极 生物传感器 热传感器 阵列布置 源区域 感测 激活 响应 期望 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：离子感测器件，包括：有源区域，包括源极、漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道；栅极，位于所述有源区域的第一表面上；离子感测膜，位于所述有源区域的第二表面上以与所述第一表面相对；和离子感测区域，位于所述离子感测膜上方，其中，所述有源区域和所述栅极嵌入介电层中；以及加热元件，接近所述离子感测器件，所述加热元件与所述介电层的表面接触。
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